M29F400FT55N3E2 vs M29F400FT55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F400FT55N3E2 von Micron Technology und M29F400FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs EEPROM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,15 $1,51
Speichertyp NOR Flash (Parallel) NOR Flash (SLC)
Density 4 Mbit (512K x 8) —
Access Time 55 ns 55 ns
Versorgungsspannung 5 V (single supply) 5 V
Schnittstelle Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot (FT variant) —
Gehäuse 44-SO (SOP-44) 44-SO (SOP-44)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Programming Supply No 12 V VPP required (5.0 V programming) —
Command Set JEDEC standard compatible —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: Active Current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: Standby Current] —
Block Protection Hardware block protection —
MSL-Level [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Speichergröße — 4 Mbit
Speicherorganisation — 256K x 16
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern