M29F400FT55N3E2 vs M29F400FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F400FT55N3E2 por Micron Technology y M29F400FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ Activo
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Comparación de especificaciones

Parámetro M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,15 $1,51
Tipo de memoria NOR Flash (Parallel) NOR Flash (SLC)
Density 4 Mbit (512K x 8) —
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V (single supply) 5 V
Interfaz Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot (FT variant) —
Encapsulado 44-SO (SOP-44) 44-SO (SOP-44)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Programming Supply No 12 V VPP required (5.0 V programming) —
Command Set JEDEC standard compatible —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: Active Current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: Standby Current] —
Block Protection Hardware block protection —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Tamaño de memoria — 4 Mbit
Organización de memoria — 256K x 16
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

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