M29F400FT55N3E2 vs M29F400FT55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F400FT55N3E2 от Micron Technology и M29F400FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron
M29F400FT55N3E2 ✓ АктивенMicron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F400FT55N3E2 | M29F400FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | EEPROM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,15 | $1,51 |
| Тип памяти | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (SLC) |
| Density | 4 Mbit (512K x 8) | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V (single supply) | 5 V |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT variant) | — |
| Корпус | 44-SO (SOP-44) | 44-SO (SOP-44) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Supply | No 12 V VPP required (5.0 V programming) | — |
| Command Set | JEDEC standard compatible | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: min operating temperature] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: Active Current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Block Protection | Hardware block protection | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Размер памяти | — | 4 Mbit |
| Организация памяти | — | 256K x 16 |
| Block Architecture | — | Top boot block |
| Temperature Grade | — | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) |
| Compliance Suffix | — | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) |
| Programming Voltage | — | Single supply (no 12 V VPP required) |
| Technology | — | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase |
| Max Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |