M29F400FT55N3E2 vs M29F400FT55N3F2 比較
詳細な並列比較: M29F400FT55N3E2 メーカー: Micron Technology および M29F400FT55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron
M29F400FT55N3E2 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | M29F400FT55N3E2 | M29F400FT55N3F2 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | EEPROM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.15 | $1.51 |
| メモリタイプ | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (SLC) |
| Density | 4 Mbit (512K x 8) | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 電源電圧 | 5 V (single supply) | 5 V |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT variant) | — |
| パッケージ | 44-SO (SOP-44) | 44-SO (SOP-44) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Supply | No 12 V VPP required (5.0 V programming) | — |
| Command Set | JEDEC standard compatible | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: min operating temperature] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: Active Current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Block Protection | Hardware block protection | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| メモリサイズ | — | 4 Mbit |
| メモリ構成 | — | 256K x 16 |
| Block Architecture | — | Top boot block |
| Temperature Grade | — | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) |
| Compliance Suffix | — | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) |
| Programming Voltage | — | Single supply (no 12 V VPP required) |
| Technology | — | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase |
| Max Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |