M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3E2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F800FT55M3E2 von Micron Technology und M29F800FB55M3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktiv
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M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

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Spezifikationsvergleich

Parameter M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3E2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,95 $3,01
Speichertyp NOR Flash Parallel NOR Flash
Speichergröße 8 Mbit —
Speicherorganisation 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Schnittstelle Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Versorgungsspannung 5 V —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Gehäuse 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (E suffix) Compliant (E suffix, RoHS-compliant package)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Automotive Qualification — AEC-Q100 (Auto Grade 125C)
Program / Erase — Embedded byte/word program and erase controller
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Standard Packing — Tray
Family — M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash

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