M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3E2 比較

詳細な並列比較: M29F800FT55M3E2 メーカー: Micron Technology および M29F800FB55M3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ 生産中
Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ EEPROM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.95 $3.01
メモリタイプ NOR Flash Parallel NOR Flash
メモリサイズ 8 Mbit —
メモリ構成 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
インターフェース Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
電源電圧 5 V —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
パッケージ 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (E suffix) Compliant (E suffix, RoHS-compliant package)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Automotive Qualification — AEC-Q100 (Auto Grade 125C)
Program / Erase — Embedded byte/word program and erase controller
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Standard Packing — Tray
Family — M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼