M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3E2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F800FT55M3E2 por Micron Technology e M29F800FB55M3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55M3E2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria EEPROM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,95 $3,01
Tipo de memória NOR Flash Parallel NOR Flash
Tamanho da memória 8 Mbit —
Organização da memória 512K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Interface Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Tensão de alimentação 5 V —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Encapsulamento 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant (E suffix) Compliant (E suffix, RoHS-compliant package)
Density 8389 kbits 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block — Bottom boot block
Automotive Qualification — AEC-Q100 (Auto Grade 125C)
Program / Erase — Embedded byte/word program and erase controller
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Standard Packing — Tray
Family — M29F 200/400/800 5V Parallel NOR Flash

Fichas técnicas e recursos

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