M29W128GL70ZA3E vs M29W128GH70ZA3E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W128GL70ZA3E von Micron Technology und M29W128GH70ZA3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E ✓ Aktiv
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W128GL70ZA3E M29W128GH70ZA3E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,25 $2,70
Speichertyp NOR Flash NOR Flash
Density 128 Mbit —
Speicherorganisation 16M x 8 / 8M x 16 8M x 16
Schnittstelle Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Versorgungsspannung 3V / 3.3V [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Betriebstemperatur -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse 64-TBGA (10x13 mm) 64-TBGA (10x13 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Boot Block Location Bottom boot (GL variant) —
Bus Width Selection BYTE pin (x8/x16) —
Packaging Tray —
RoHS-Status unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA Code] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Speichergröße — 128 Mbit
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot (GH suffix)
Program/Erase Voltage — [DATA_NEEDED: program/erase voltage]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
CFI Compliant — [DATA_NEEDED: CFI compliance]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

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