M29W128GL70ZA3E vs M29W128GH70ZA3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W128GL70ZA3E 제조: Micron Technology 및 M29W128GH70ZA3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W128GL70ZA3E | M29W128GH70ZA3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.25 | $2.70 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 16M x 8 / 8M x 16 | 8M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 3V / 3.3V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom boot (GL variant) | — |
| Bus Width Selection | BYTE pin (x8/x16) | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA Code] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] | — |
| 메모리 크기 | — | 128 Mbit |
| Technology | — | SLC NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot (GH suffix) |
| Program/Erase Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| CFI Compliant | — | [DATA_NEEDED: CFI compliance] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |