M29W128GL70ZA3E vs M29W128GH70ZA3E 比較

詳細な並列比較: M29W128GL70ZA3E メーカー: Micron Technology および M29W128GH70ZA3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E ✓ 生産中
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W128GL70ZA3E M29W128GH70ZA3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.25 $2.70
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash
Density 128 Mbit —
メモリ構成 16M x 8 / 8M x 16 8M x 16
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 3V / 3.3V [DATA_NEEDED: supply voltage range]
動作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 64-TBGA (10x13 mm) 64-TBGA (10x13 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Boot Block Location Bottom boot (GL variant) —
Bus Width Selection BYTE pin (x8/x16) —
Packaging Tray —
RoHS ステータス unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA Code] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
メモリサイズ — 128 Mbit
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot (GH suffix)
Program/Erase Voltage — [DATA_NEEDED: program/erase voltage]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
CFI Compliant — [DATA_NEEDED: CFI compliance]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

データシート&リソース

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