M29W128GL70ZA3E vs M29W128GH70ZA3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70ZA3E от Micron Technology и M29W128GH70ZA3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29W128GL70ZA3E | M29W128GH70ZA3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,25 | $2,70 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| Организация памяти | 16M x 8 / 8M x 16 | 8M x 16 |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Напряжение питания | 3V / 3.3V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Рабочая температура | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom boot (GL variant) | — |
| Bus Width Selection | BYTE pin (x8/x16) | — |
| Packaging | Tray | — |
| Статус RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA Code] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] | — |
| Размер памяти | — | 128 Mbit |
| Technology | — | SLC NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot (GH suffix) |
| Program/Erase Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| CFI Compliant | — | [DATA_NEEDED: CFI compliance] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |