M29W160EB70N3E vs M29DW323DB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W160EB70N3E von Micron Technology und M29DW323DB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W160EB70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,76 | $2,55 |
| Speichertyp | FLASH - NOR | Flash - NOR |
| Speichergröße | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | — |
| Speicherorganisation | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming Time | 10 us (typical) | — |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse / Bauform | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | — | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| Gehäuse | — | 48-TSOP I |
| Boot Block Location | — | Bottom (DB variant) |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |