M29W160EB70N3E vs M29DW323DB70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W160EB70N3E メーカー: Micron Technology および M29DW323DB70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ 生産中
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M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W160EB70N3E M29DW323DB70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.76 $2.55
メモリタイプ FLASH - NOR Flash - NOR
メモリサイズ 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
メモリ構成 2M x8 / 1M x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ / ケース 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Format — FLASH
Technology — FLASH - NOR Memory IC
Density — 32 Mb (4M x 8, 2M x 16)
Memory Organization — 4M x 8 / 2M x 16
電源電圧 — 3 V class (per manufacturer datasheet)
パッケージ — 48-TSOP I
Boot Block Location — Bottom (DB variant)
Byte/Word Organization Select — Yes (BYTE pin)
Applications Domain — Embedded code storage / XIP
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: standard pack quantity]

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