M29W160EB70N3E vs M29DW323DB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W160EB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29DW323DB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W160EB70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.76 | $2.55 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR | Flash - NOR |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | — |
| 메모리 구성 | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming Time | 10 us (typical) | — |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 / 케이스 | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | — | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| 공급 전압 | — | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| 패키지 | — | 48-TSOP I |
| Boot Block Location | — | Bottom (DB variant) |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |