M29W160EB70N3E vs M29DW323DB70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W160EB70N3E par Micron Technology et M29DW323DB70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W160EB70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,76 | $2,55 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR | Flash - NOR |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | — |
| Organisation de la mémoire | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming Time | 10 us (typical) | — |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier / Format | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Density | — | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| Boîtier | — | 48-TSOP I |
| Boot Block Location | — | Bottom (DB variant) |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |