MT40A256M16LY-062E vs NT5AD512M16C4-JRU Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A256M16LY-062E von Micron Technology und NT5AD512M16C4-JRU von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A256M16LY-062E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,30 | $83,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x16 | 512M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | CMOS, DDR4 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| Access Time (tAA) | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Data Rate Class | DDR4-2666 (062E speed grade) | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT variant) | -40C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| FBGA Code | D9XSG (AUT variant) | — |
| RoHS-Status | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) | Green Product (per Nanya product page) |
| Density | — | 8 Gbit |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| Betriebstemperatur | — | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |