MT40A256M16LY-062E vs NT5AD512M16C4-JRU Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A256M16LY-062E от Micron Technology и NT5AD512M16C4-JRU от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT40A256M16LY-062E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,30 | $83,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x16 | 512M x 16 |
| Интерфейс | Parallel | CMOS, DDR4 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| Access Time (tAA) | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Data Rate Class | DDR4-2666 (062E speed grade) | — |
| Корпус | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT variant) | -40C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| FBGA Code | D9XSG (AUT variant) | — |
| Статус RoHS | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) | Green Product (per Nanya product page) |
| Density | — | 8 Gbit |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| Рабочая температура | — | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |