MT40A256M16LY-062E vs NT5AD512M16C4-JRU 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A256M16LY-062E 제조: Micron Technology 및 NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A256M16LY-062E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.30 | $83.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x16 | 512M x 16 |
| 인터페이스 | Parallel | CMOS, DDR4 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| Access Time (tAA) | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Data Rate Class | DDR4-2666 (062E speed grade) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT variant) | -40C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC (Command/Address) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| FBGA Code | D9XSG (AUT variant) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) | Green Product (per Nanya product page) |
| Density | — | 8 Gbit |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| 동작 온도 | — | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |