MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BIN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16JY-07EAIT:B von Micron Technology und AS4C512M16D4A-62BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Aktiv
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BIN
Marke Micron Technology Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Datenrate 2666 MT/s 3200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Schnittstelle Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Gehäuse 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13mm)
Betriebstemperaturbereich -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Clock Rate — 1600 MHz
Versorgungsspannung — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Betriebstemperatur — -40°C to +95°C
CAS-Latenz — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Montageart — Surface Mount
Lead Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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