MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BIN 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16JY-07EAIT:B 제조: Micron Technology 및 AS4C512M16D4A-62BIN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 활성
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BIN
브랜드 Micron Technology Alliance Memory
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.10 $8.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 8 Gbit 8 Gbit
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
데이터 속도 2666 MT/s 3200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
인터페이스 Parallel POD (Pseudo Open Drain)
패키지 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13mm)
동작 온도 범위 -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Clock Rate — 1600 MHz
공급 전압 — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
동작 온도 — -40°C to +95°C
CAS 레이턴시 — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
실장 유형 — Surface Mount
Lead Free — Yes

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