MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BIN 对比

详细并排对比 MT40A512M16JY-07EAIT:B 出自 Micron Technology 和 AS4C512M16D4A-62BIN 出自 Alliance Memory。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ 量产中
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BIN
品牌 Micron Technology Alliance Memory
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.10 $8.10
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit 8 Gbit
存储组织 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
数据速率 2666 MT/s 3200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
接口 Parallel POD (Pseudo Open Drain)
封装 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13mm)
工作温度范围 -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Clock Rate — 1600 MHz
电源电压 — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
工作温度 — -40°C to +95°C
CAS 延迟 — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
安装类型 — Surface Mount
Lead Free — Yes

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