MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology y AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BIN
Marca Micron Technology Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit 8 Gbit
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Velocidad de datos 2666 MT/s 3200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interfaz Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Encapsulado 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13mm)
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Clock Rate — 1600 MHz
Tensión de alimentación — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Temperatura de funcionamiento — -40°C to +95°C
Latencia CAS — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Tipo de montaje — Surface Mount
Lead Free — Yes

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