MT40A512M16JY-07EAIT:B vs AS4C512M16D4A-62BIN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology e AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16JY-07EAIT:B AS4C512M16D4A-62BIN
Marca Micron Technology Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $8,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gbit
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Taxa de dados 2666 MT/s 3200 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interface Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Encapsulamento 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13mm)
Faixa de temperatura de operação -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Clock Rate — 1600 MHz
Tensão de alimentação — 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Temperatura de operação — -40°C to +95°C
Latência CAS — Programmable (e.g., 22 cycles)
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Tipo de montagem — Surface Mount
Lead Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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