MT40A512M16LY-075 vs K4A8G165WB-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-075 von Micron Technology und K4A8G165WB-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16LY-075 | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $27,89 | $37,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Speed | 1.33 GHz | — |
| Datenrate | DDR4-2666 | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks) | — |
| Refresh Time at TC -40°C to 85°C | 64ms | — |
| Refresh Time at TC >85°C to 95°C | 32ms | — |
| Refresh Time at TC >95°C to 105°C | 16ms | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C (TC) |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |