MT40A512M16LY-075 vs K4A8G165WB-BCTD Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-075 por Micron Technology y K4A8G165WB-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16LY-075 K4A8G165WB-BCTD
Marca Micron Technology Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $27,89 $37,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
Velocidad de datos DDR4-2666 2666 Mbps/pin (PC4-2666)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Tipo de montaje Surface Mount —
Total Density — 8 Gb
Tensión de alimentación — 1.2 V
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C (TC)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CL value]
tRCD — [DATA_NEEDED: tRCD value]
tRP — [DATA_NEEDED: tRP value]
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
ZQ Calibration — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

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