MT40A512M16LY-075 vs K4A8G165WB-BCTD Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-075 par Micron Technology et K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-075 K4A8G165WB-BCTD
Marque Micron Technology Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $27,89 $37,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
Débit de données DDR4-2666 2666 Mbps/pin (PC4-2666)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Type de montage Surface Mount —
Total Density — 8 Gb
Tension d'alimentation — 1.2 V
Température de fonctionnement — 0°C to +95°C (TC)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CL value]
tRCD — [DATA_NEEDED: tRCD value]
tRP — [DATA_NEEDED: tRP value]
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
ZQ Calibration — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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