MT40A512M16LY-075 vs K4A8G165WB-BCTD 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16LY-075 メーカー: Micron Technology および K4A8G165WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCTD ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16LY-075 K4A8G165WB-BCTD
ブランド Micron Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $27.89 $37.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
データレート DDR4-2666 2666 Mbps/pin (PC4-2666)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
動作温度範囲 0°C to +95°C —
実装タイプ Surface Mount —
Total Density — 8 Gb
電源電圧 — 1.2 V
動作温度 — 0°C to +95°C (TC)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CL value]
tRCD — [DATA_NEEDED: tRCD value]
tRP — [DATA_NEEDED: tRP value]
Refresh — Auto-refresh, self-refresh
On-Die Termination — Yes (ODT)
ZQ Calibration — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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