MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125:E von Micron Technology und K4B4G1646D-BCK00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,10 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS-Latenz | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Datenbusbreite | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Datenrate | — | 1600 Mbps/pin |
| Versorgungsspannung | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| Halogenfrei | — | Yes |