MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology y K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,10 | $5,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latencia CAS | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Número de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Velocidad de datos | — | 1600 Mbps/pin |
| Tensión de alimentación | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| Sin halógenos | — | Yes |