MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125:E 제조: Micron Technology 및 K4B4G1646D-BCK00 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.10 | $5.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS 레이턴시 | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 핀 수 | 96 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 데이터 버스 폭 | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| 데이터 속도 | — | 1600 Mbps/pin |
| 공급 전압 | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| 동작 온도 | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| 할로겐 프리 | — | Yes |