MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 对比
详细并排对比 MT41K256M16HA-125:E 出自 Micron Technology 和 K4B4G1646D-BCK00 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $3.10 | $5.90 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 存储组织 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS 延迟 | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| 封装 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 引脚数 | 96 | — |
| 安装类型 | Surface Mount | — |
| 工作温度范围 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS 状态 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 数据总线宽度 | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| 数据速率 | — | 1600 Mbps/pin |
| 电源电压 | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| 工作温度 | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| 无卤 | — | Yes |