MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16HA-125:E メーカー: Micron Technology および K4B4G1646D-BCK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $3.10 | $5.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CASレイテンシ | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| パッケージ | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| ピン数 | 96 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| データバス幅 | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| データレート | — | 1600 Mbps/pin |
| 電源電圧 | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| 動作温度 | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| ハロゲンフリー | — | Yes |