MT41K256M16HA-125 vs H5AN8G4NCJR-XXC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125 von Micron Technology und H5AN8G4NCJR-xxC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125 H5AN8G4NCJR-xxC
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,36 $8,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.2V
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) FBGA
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS-Latenz 11 —
Density — 8Gb
Speicherorganisation — x4 (H5AN8G4NCJR)
Datenrate — [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS — Compliant
Halogenfrei — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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