MT41K256M16HA-125 vs H5AN8G4NCJR-XXC Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology y H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-125 H5AN8G4NCJR-xxC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,36 $8,50
Tipo de memoria SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Ancho del bus de datos 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tensión de alimentación 1.35 V 1.2V
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) FBGA
Número de pines 96 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latencia CAS 11 —
Density — 8Gb
Organización de memoria — x4 (H5AN8G4NCJR)
Velocidad de datos — [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS — Compliant
Sin halógenos — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

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