MT41K256M16HA-125 vs H5AN8G4NCJR-XXC 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-125 出自 Micron Technology 和 H5AN8G4NCJR-xxC 出自 SK hynix。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 量产中
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-125 H5AN8G4NCJR-xxC
品牌 Micron Technology SK hynix
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.36 $8.50
存储器类型 SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) —
数据总线宽度 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
电源电压 1.35 V 1.2V
封装 96-FBGA (9x14 mm) FBGA
引脚数 96 —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 状态 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS 延迟 11 —
Density — 8Gb
存储组织 — x4 (H5AN8G4NCJR)
数据速率 — [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS — Compliant
无卤 — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

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