MT41K256M16HA-125 vs H5AN8G4NCJR-XXC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-125 par Micron Technology et H5AN8G4NCJR-xxC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16HA-125 H5AN8G4NCJR-xxC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,36 $8,50
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Largeur du bus de données 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tension d'alimentation 1.35 V 1.2V
Boîtier 96-FBGA (9x14 mm) FBGA
Nombre de broches 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latence CAS 11 —
Density — 8Gb
Organisation de la mémoire — x4 (H5AN8G4NCJR)
Débit de données — [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS — Compliant
Sans halogène — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

Fiches techniques et ressources

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