MT41K256M16HA-125 vs H5AN8G4NCJR-XXC 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology 및 H5AN8G4NCJR-xxC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT41K256M16HA-125 H5AN8G4NCJR-xxC
브랜드 Micron Technology SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.36 $8.50
메모리 유형 SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) —
데이터 버스 폭 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
공급 전압 1.35 V 1.2V
패키지 96-FBGA (9x14 mm) FBGA
핀 수 96 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS 레이턴시 11 —
Density — 8Gb
메모리 구성 — x4 (H5AN8G4NCJR)
데이터 속도 — [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS — Compliant
할로겐 프리 — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

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