MT41K256M16MTW-107IT vs K4B4G1646E-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16MTW-107IT von Micron Technology und K4B4G1646E-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16MTW-107IT - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16MTW-107IT ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16MTW-107IT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $13,50 | $1,80 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| CAS-Latenz | 13 | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Access Time | 0.195 ns | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | CMOS | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Datenrate | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |