MT41K256M16MTW-107IT vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16MTW-107IT par Micron Technology et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16MTW-107IT - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16MTW-107IT ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16MTW-107IT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $13,50 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| Latence CAS | 13 | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Interface | Parallel | — |
| Access Time | 0.195 ns | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | CMOS | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Débit de données | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |