MT41K256M16MTW-107IT vs K4B4G1646E-BYK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16MTW-107IT por Micron Technology y K4B4G1646E-BYK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16MTW-107IT - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16MTW-107IT ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16MTW-107IT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $13,50 | $1,80 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Speed | 933 MHz | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| Latencia CAS | 13 | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Access Time | 0.195 ns | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | CMOS | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |