NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-HR von Nanya Technology und E3AD8G16A4-HR von ELIXIR/NANYA. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $43,10 | $8,60 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| Gehäuse | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| CAS-Latenz | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |