NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16C4-HR 제조: Nanya Technology 및 E3AD8G16A4-HR 제조: ELIXIR/NANYA. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $43.10 | $8.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V |
| 데이터 속도 | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| 패키지 | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| 핀 수 | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| CAS 레이턴시 | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |