NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-HR par Nanya Technology et E3AD8G16A4-HR par ELIXIR/NANYA. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $43,10 | $8,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Débit de données | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Latence CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |