NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-HR por Nanya Technology y E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $43,10 | $8,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| Encapsulado | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| Número de pines | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Latencia CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |