NT5AD512M16C4-HR vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-HR von Nanya Technology und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-HR | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $43,10 | $5,74 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 2400 MT/s |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Gehäuse | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |