NT5AD512M16C4-HR vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5AD512M16C4-HR por Nanya Technology e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5AD512M16C4-HR H5AN8G6NAFR-UHC
Marca Nanya Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $43,10 $5,74
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gbit 8 Gb
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Taxa de dados 1.333 GHz (DDR4-2666) 2400 MT/s
Temperatura de operação 0°C to +95°C 0°C to +85°C
Encapsulamento FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Número de pinos 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
RoHS Compliant — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Fichas técnicas e recursos

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