NT5AD512M16C4-HR vs H5AN8G6NAFR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16C4-HR от Nanya Technology и H5AN8G6NAFR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5AD512M16C4-HR H5AN8G6NAFR-UHC
Бренд Nanya Technology SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $43,10 $5,74
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gbit 8 Gb
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V
Скорость передачи данных 1.333 GHz (DDR4-2666) 2400 MT/s
Рабочая температура 0°C to +95°C 0°C to +85°C
Корпус FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
Количество выводов 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
RoHS Compliant — Yes
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену