NT5AD512M16C4-HR vs H5AN8G6NAFR-UHC 比較

詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-HR メーカー: Nanya Technology および H5AN8G6NAFR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5AD512M16C4-HR H5AN8G6NAFR-UHC
ブランド Nanya Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $43.10 $5.74
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Density 8 Gbit 8 Gb
電源電圧 1.2 V 1.2 V
データレート 1.333 GHz (DDR4-2666) 2400 MT/s
動作温度 0°C to +95°C 0°C to +85°C
パッケージ FBGA-96 (TFBGA) FBGA-96
ピン数 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
RoHS Compliant — Yes
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

データシート&リソース

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