NT5CB256M16CP-DI vs W9751G6KB-25 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CB256M16CP-DI von Nanya Technology und W9751G6KB-25 von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CB256M16CP-DI W9751G6KB-25
Marke Nanya Technology Winbond
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $0,92
Speichertyp DDR3L SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
Speicherorganisation 256M x 16 32M words x 16 bits
Density 4 Gb —
Versorgungsspannung 1.35 V (DDR3L) 1.8 V typical
Datenrate 1600 Mbps/pin (max) 800 MT/s
Gehäuse TFBGA-96 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Speichergröße — 512 Mbit (32M x 16)
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Clock Frequency — 400 MHz
Access Time — 57.5 ns (CAS latency timing window)
Schnittstellentyp — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Burst Length — 4 or 8 (programmable)
CAS-Latenz — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Montageart — Surface Mount
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern