NT5CB256M16CP-DI vs W9751G6KB-25 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology 및 W9751G6KB-25 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CB256M16CP-DI W9751G6KB-25
브랜드 Nanya Technology Winbond
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $0.92
메모리 유형 DDR3L SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
메모리 구성 256M x 16 32M words x 16 bits
Density 4 Gb —
공급 전압 1.35 V (DDR3L) 1.8 V typical
데이터 속도 1600 Mbps/pin (max) 800 MT/s
패키지 TFBGA-96 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
메모리 크기 — 512 Mbit (32M x 16)
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Clock Frequency — 400 MHz
Access Time — 57.5 ns (CAS latency timing window)
인터페이스 유형 — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Burst Length — 4 or 8 (programmable)
CAS 레이턴시 — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
실장 유형 — Surface Mount
RoHS 상태 — Compliant

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